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二極管的反向飽和電流受溫度影響很大。[4]一般硅管的反向電流比鍺管小得多，小功率硅管的反向飽和電流在nA數量級，小功率鍺管在μA數量級。溫度升高時(shí)，半導體受熱激發(fā)，少數載流子數目增加，反向飽和電流也隨之增加。[4]二極管擊穿特性外加反向電壓超過(guò)某一數值時(shí)，反向電流會(huì )突然增大，這種現象稱(chēng)為電擊穿。引起電擊穿的臨界電壓稱(chēng)為二極管反向擊穿電壓。電擊穿時(shí)二極管失去單向導電性。如果二極管沒(méi)有因電擊穿而引起過(guò)熱，則單向導電性不一定會(huì )被長(cháng)久破壞，在撤除外加電壓后，其性能仍可恢復，否則二極管就損壞了。因而使用時(shí)應避免二極管外加的反向電壓過(guò)高。[5]反向擊穿按機理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下，因勢壘區寬度很小，反向電壓較大時(shí)，破壞了勢壘區內共價(jià)鍵結構，使價(jià)電子脫離共價(jià)鍵束縛，產(chǎn)生電子-空穴對，致使電流急劇增大，這種擊穿稱(chēng)為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低，勢壘區寬度較寬，不容易產(chǎn)生齊納擊穿。[5]另一種擊穿為雪崩擊穿。當反向電壓增加到較大數值時(shí)，外加電場(chǎng)使電子漂移速度加快，從而與共價(jià)鍵中的價(jià)電子相碰撞，把價(jià)電子撞出共價(jià)鍵，產(chǎn)生新的電子-空穴對。新產(chǎn)生的電子-空穴被電場(chǎng)加速后又撞出其它價(jià)電子。IXYS成立于1983年,是一家總部位于德國并在美國納斯達上市的世界半導體生產(chǎn)商。山東好的艾賽斯IXYS二極管銷(xiāo)售廠(chǎng)家

一、肖特基二極管特性1、肖特基（Schottky）二極管的正向壓降比快恢復二極管正向壓降低很多，所以自身功耗較小，效率高。2、由于反向電荷恢復時(shí)間極短，所以適宜工作在高頻狀態(tài)下。3、能耐受高浪涌電流。4、目前市場(chǎng)上常見(jiàn)的肖特基管高結溫分100℃、125℃、150％、175℃幾種(結溫越高表示產(chǎn)品抗高溫特性越好。即工作在此溫度以下不會(huì )引起失效。5、它也有一些缺點(diǎn)：是其耐壓較低及反向漏電流稍大。選型時(shí)要全考慮。肖特基二極管一般用在電源次級輸出整流上面。二、肖特基常見(jiàn)型號封裝圖關(guān)于封裝通過(guò)型號識別封裝外形：MBR10100:TO-220AC,單芯片，兩引腳，MBR10100CT:TO-220AB,雙芯片，三引腳，型號后綴帶CTMBRB10100CT:TO-263（D2PAK）、貼片。型號前面第四個(gè)字母B,TO-263,國際通用命名。雙芯片，三引腳，型號后綴帶CTMBRD1045CT:TO-252（DPAK）、貼片。MBRD與MBRB都是貼片，D:TO-252,B:"PT"TO-3P封裝，原MOTOROLA（今ON）叫做SOT-93SD1045:D表示TO-251三、肖特基二極管常見(jiàn)型號及參數1、肖特基它是一種低功耗、超高速半導體器件，廣泛應用于開(kāi)關(guān)電源、變頻器、驅動(dòng)器等電路，作高頻、低壓、大電流整流二極管、續流二極管、保護二極管使用。江西本地艾賽斯IXYS二極管代理商二極管是常用的電子元件之一，他比較大的特性就是單向導電，也就是電流只可以從二極管的一個(gè)方向流過(guò)。

[8]2.檢測性能好壞。用萬(wàn)用表電阻擋測量紅外接收二極管正、反向電阻，根據正、反向電阻值的大小，即可初步判定紅外接收二極管的好壞。[8]二極管激光二極管按照檢測普通二極管正、反向電阻的方法，即可將激光二極管的管腳排列順序確定。但檢測時(shí)要注意，由于激光二極管的正向壓降比普通二極管要大，所以檢測正向電阻時(shí)，萬(wàn)用表指針公略微向右偏轉而已。[8]二極管主要應用編輯二極管電子電路應用幾乎在所有的電子電路中，都要用到半導體二極管。半導體二極管在電路中的使用能夠起到保護電二極管路，延長(cháng)電路壽命等作用。半導體二極管的發(fā)展，使得集成電路更加優(yōu)化，在各個(gè)領(lǐng)域都起到了積極的作用。二極管在集成電路中的作用很多，維持著(zhù)集成電路正常工作。下面簡(jiǎn)要介紹二極管在以下四種電路中的作用。[6]（1）開(kāi)關(guān)電路在數字、集成電路中利用二極管的單向導電性實(shí)現電路的導通或斷開(kāi)，這一技術(shù)已經(jīng)得到廣應用。開(kāi)關(guān)二極管可以很好的保護的電路，防止電路因為短路等問(wèn)題而被燒壞，也可實(shí)現傳統開(kāi)關(guān)的功能。開(kāi)關(guān)二極管還有一個(gè)特性就是開(kāi)關(guān)的速度很快。這是傳統開(kāi)關(guān)所無(wú)法比擬的。[6]（2）限幅電路在電子電路中，常用限幅電路對各種信號進(jìn)行處理。

二極管的兩根引腳分別稱(chēng)為陽(yáng)極和陰極，由P型半導體一側引出的電極稱(chēng)為陽(yáng)極，由N型半導體一側引出的電極稱(chēng)為陰極。在二極管符號中，三角形底邊一端為陽(yáng)極，另一端為陰極。符號形象地表示了二極管電流流動(dòng)的方向，即電流只能從陽(yáng)極流向陰極，而不允許反方向流動(dòng)。二極管是將PN結封裝起來(lái)，并分別引出電極制成的。所謂PN結是將半導體材料(硅或鍺)利用特殊工藝制成P型半導體和N型半導體，并將這兩塊半導體用專(zhuān)門(mén)技術(shù)結合起來(lái)，在它們的交界面上就會(huì )形成一個(gè)稱(chēng)為PN結的特殊結構。這個(gè)PN結對來(lái)自?xún)蓚€(gè)方向的電流呈現不同的性質(zhì)，在外加電壓足夠大時(shí)(一般約0．3～0．6V)，電流只能從陽(yáng)極(P型半導體一側)流向陰極(N型半導體一側)，反方向是不能導通的。二極管的電流、電壓關(guān)系是指管內流過(guò)的電流與其兩端所加電壓之間的關(guān)系。對二極管施加正向電壓和反向電壓兩種情況時(shí)，對應有二極管的導通狀態(tài)和截止狀態(tài)。1．正向偏置與導通狀態(tài)二極管陽(yáng)極接高電位，陰極接低電位，連接電路如圖(a)所示，這種連接稱(chēng)為二極管的正向偏置。此時(shí)調節串聯(lián)在電路中的電阻大小可以發(fā)現，當二極管VD兩端正向電壓較低時(shí)(小于0．5V)，電路中幾乎沒(méi)有電流，燈泡也不發(fā)光；當二極管兩端正向電壓大于0．5V后。甲半導體二極管，常用的類(lèi)型的，是一個(gè)晶體具有連接到兩個(gè)電氣端子的pn結的半導體材料。

可得如下圖(b)所示二極管反向電流、電壓關(guān)系特性。在上圖(b)所示反向特性中，當反向電壓不超過(guò)一定范圍(曲線(xiàn)OB段)時(shí)，反向電流十分微小并隨電壓增加而基本不變。小功率硅二極管的反向電流一般小于0．1m左右，通?？梢院雎圆挥?。當反向電壓增加到一定數值時(shí)，反向電流將急劇增加，稱(chēng)為反向擊穿，此時(shí)的電壓稱(chēng)為反向擊穿電壓。普通二極管被擊穿后，PN結不能恢復原有的性能，造成長(cháng)久性損壞。綜上所述，二極管具有在正向偏置電壓下導通，反向偏置電壓下截止的特性，這個(gè)特性稱(chēng)為單向導電性。[編輯]二極管的主要參數二極管的參數是評價(jià)二極管性能的重要指標，是正確選擇和使用二極管的依據，主要參數有：(1)大整流電流IFM指二極管長(cháng)期工作時(shí)，允許通過(guò)二極管的大正向電流的平均值。當實(shí)際電流超過(guò)該值時(shí)，二極管會(huì )因過(guò)熱而損壞。(2)高反向工作電壓URM指保證二極管不被擊穿所允許施加的大反向電壓。實(shí)際使用中二極管反向電壓不應超過(guò)此電壓值，以防發(fā)生反向擊穿。(3)反向電流IR指二極管加反向電壓而未擊穿時(shí)的反向電流。如果該值較大，是不能正常使用的。反向電流愈小，二極管單向導電性愈好。與PN結不可分割的點(diǎn)接觸型和肖特基型，也被列入一般的二極管的范圍內。福建本地艾賽斯IXYS二極管誠信推薦

貼片穩壓二極管是電源電路中常用的元件之一，有別于普通二極管，工作在PN結的反向擊穿區。山東好的艾賽斯IXYS二極管銷(xiāo)售廠(chǎng)家

整流二極管一種將交流電能轉變?yōu)橹绷麟娔艿陌雽w器件。通常它包含一個(gè)PN結，有正極和負極兩個(gè)端子。二極管重要的特性就是單方向導電性。在電路中，電流只能從二極管的正極流入，負極流出。整流二極管是利用PN結的單向導電特性，把交流電變成脈動(dòng)直流電。整流二極管漏電流較大，多數采用面接觸性料封裝的二極管。整流二極管的外形如圖1所示，另外，整流二極管的參數除前面介紹的幾個(gè)外，還有大整流電流，是指整流二極管長(cháng)時(shí)間的工作所允許通過(guò)的大電流值。它是整流二極管的主要參數，是選項用整流二極管的主要依據。肖特基二極管肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢壘二極管（SchottkyBarrierDiode，縮寫(xiě)成SBD）的簡(jiǎn)稱(chēng)。SBD不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成PN結原理制作的，而是利用金屬與半導體接觸形成的金屬－半導體結原理制作的。因此，SBD也稱(chēng)為金屬－半導體（接觸）二極管或表面勢壘二極管，它是一種熱載流子二極管。肖特基二極管是貴金屬（金、銀、鋁、鉑等）A為正極，以N型半導體B為負極，利用二者接觸面上形成的勢壘具有整流特性而制成的金屬-半導體器件。因為N型半導體中存在著(zhù)大量的電子，貴金屬中有極少量的自由電子。山東好的艾賽斯IXYS二極管銷(xiāo)售廠(chǎng)家

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